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Artigo de periodico
The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs (2018)
Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Mocuta, Dan; Collaert, Nadine ; Alian, A; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio ; Rooyackers, Rita; Mols, Yannick; Van Dooren, A; Verhulst, Anne S; Lin, D
Source: Composants nanoélectroniques. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
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ABNT
BORDALLO, Caio Cesar Mendes et al. The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs. Composants nanoélectroniques, v. 18, n. 1, 2018Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.21494/iste.op.2018.0224. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Bordallo, C. C. M., Mocuta, D., Collaert, N., Alian, A., Simoen, E., Claeys, C., et al. (2018). The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs. Composants nanoélectroniques, 18( 1). doi:10.21494/iste.op.2018.0224
NLM
Bordallo CCM, Mocuta D, Collaert N, Alian A, Simoen E, Claeys C, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Mols Y, Van Dooren A, Verhulst AS, Lin D. The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs [Internet]. Composants nanoélectroniques. 2018 ;18( 1):[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.21494/iste.op.2018.0224
Vancouver
Bordallo CCM, Mocuta D, Collaert N, Alian A, Simoen E, Claeys C, Agopian PGD, Martino JA, Rooyackers R, Mols Y, Van Dooren A, Verhulst AS, Lin D. The impact of the temperature on In0.53Ga0.47As nTFETs [Internet]. Composants nanoélectroniques. 2018 ;18( 1):[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.21494/iste.op.2018.0224
Artigo de periodico
Stress engineering and proton radiation influence on off-state leakage current in triple-gate SOI devices (2013)
Agopian, Paula Ghedini Der ; Bordallo, Caio Cesar Mendes ; Simoen, Eddy ; Martino, João Antonio ; Claeys, Cor
Source: Solid-State Electronics Volume 90, December 2013, Pages 155-159. Unidade: EP
Subjects: SILÍCIO, IRRADIAÇÃO
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ABNT
AGOPIAN, Paula Ghedini Der et al. Stress engineering and proton radiation influence on off-state leakage current in triple-gate SOI devices. Solid-State Electronics Volume 90, December 2013, Pages 155-159, v. 90, p. 155-159, 2013Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.02.037. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Agopian, P. G. D., Bordallo, C. C. M., Simoen, E., Martino, J. A., & Claeys, C. (2013). Stress engineering and proton radiation influence on off-state leakage current in triple-gate SOI devices. Solid-State Electronics Volume 90, December 2013, Pages 155-159, 90, 155-159. doi:10.1016/j.sse.2013.02.037
NLM
Agopian PGD, Bordallo CCM, Simoen E, Martino JA, Claeys C. Stress engineering and proton radiation influence on off-state leakage current in triple-gate SOI devices [Internet]. Solid-State Electronics Volume 90, December 2013, Pages 155-159. 2013 ; 90 155-159.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.02.037
Vancouver
Agopian PGD, Bordallo CCM, Simoen E, Martino JA, Claeys C. Stress engineering and proton radiation influence on off-state leakage current in triple-gate SOI devices [Internet]. Solid-State Electronics Volume 90, December 2013, Pages 155-159. 2013 ; 90 155-159.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.02.037
Trabalho de evento
Dynamic analysis of wind turbines considering new grid code requirements (2008)
Salles, Maurício Barbosa de Camargo ; Hameyer, Kay ; Cardoso, José Roberto ; Freitas, W
Source: ICEM Proceedings. Conference titles: International Conference on Electrical Machines. Unidade: EP
Subjects: TURBINAS, ENERGIA EÓLICA
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ABNT
SALLES, Maurício Barbosa de Camargo et al. Dynamic analysis of wind turbines considering new grid code requirements. 2008, Anais.. New York: IEEE, 2008. Disponível em: https://doi.org/10.1109/ICELMACH.2008.4799899. Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Salles, M. B. de C., Hameyer, K., Cardoso, J. R., & Freitas, W. (2008). Dynamic analysis of wind turbines considering new grid code requirements. In ICEM Proceedings. New York: IEEE. doi:10.1109/ICELMACH.2008.4799899
NLM
Salles MB de C, Hameyer K, Cardoso JR, Freitas W. Dynamic analysis of wind turbines considering new grid code requirements [Internet]. ICEM Proceedings. 2008 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ICELMACH.2008.4799899
Vancouver
Salles MB de C, Hameyer K, Cardoso JR, Freitas W. Dynamic analysis of wind turbines considering new grid code requirements [Internet]. ICEM Proceedings. 2008 ;[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/ICELMACH.2008.4799899
Trabalho de evento-anais periodico
Mitigation of the torque ripple of a switched reluctance motor throught a multiobjective optimization (2008)
Nabeta, Silvio Ikuyo ; Chabu, Ivan Eduardo ; Lebensztajn, Luiz ; Correa, Daniel Augusto Prudente; Silva, Wanderlei Marinho da; Hameyer, Kay
Source: IEEE Transactions on Magnetics. Conference titles: Biennial Conference on the Computation of Electromagnetic Fields (COMPUMAG). Unidade: EP
Subjects: MÁQUINAS ELÉTRICAS, MÉTODO DOS ELEMENTOS FINITOS
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ABNT
NABETA, Silvio Ikuyo et al. Mitigation of the torque ripple of a switched reluctance motor throught a multiobjective optimization. IEEE Transactions on Magnetics. New York: IEEE. Disponível em: https://doi.org/10.1109/tmag.2007.915137. Acesso em: 21 maio 2024. , 2008
APA
Nabeta, S. I., Chabu, I. E., Lebensztajn, L., Correa, D. A. P., Silva, W. M. da, & Hameyer, K. (2008). Mitigation of the torque ripple of a switched reluctance motor throught a multiobjective optimization. IEEE Transactions on Magnetics. New York: IEEE. doi:10.1109/tmag.2007.915137
NLM
Nabeta SI, Chabu IE, Lebensztajn L, Correa DAP, Silva WM da, Hameyer K. Mitigation of the torque ripple of a switched reluctance motor throught a multiobjective optimization [Internet]. IEEE Transactions on Magnetics. 2008 ; 44( 6): 1018-1021.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/tmag.2007.915137
Vancouver
Nabeta SI, Chabu IE, Lebensztajn L, Correa DAP, Silva WM da, Hameyer K. Mitigation of the torque ripple of a switched reluctance motor throught a multiobjective optimization [Internet]. IEEE Transactions on Magnetics. 2008 ; 44( 6): 1018-1021.[citado 2024 maio 21 ] Available from: https://doi.org/10.1109/tmag.2007.915137
Trabalho de evento
Acoplamento de modelo não-linear de diodo com o método dos elementos finitos (2002)
Nabeta, Silvio Ikuyo ; Hameyer, Kay ; Gersem, Herbert De
Source: CBMag 2002 : anais. Conference titles: Congresso Brasileiro de Eletromagnetismo. Unidade: EP
Subjects: ELETROMAGNETISMO, MÉTODO DOS ELEMENTOS FINITOS
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ABNT
NABETA, Silvio Ikuyo e HAMEYER, Kay e GERSEM, Herbert De. Acoplamento de modelo não-linear de diodo com o método dos elementos finitos. 2002, Anais.. Gramado: SBMag, 2002. . Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Nabeta, S. I., Hameyer, K., & Gersem, H. D. (2002). Acoplamento de modelo não-linear de diodo com o método dos elementos finitos. In CBMag 2002 : anais. Gramado: SBMag.
NLM
Nabeta SI, Hameyer K, Gersem HD. Acoplamento de modelo não-linear de diodo com o método dos elementos finitos. CBMag 2002 : anais. 2002 ;[citado 2024 maio 21 ]
Vancouver
Nabeta SI, Hameyer K, Gersem HD. Acoplamento de modelo não-linear de diodo com o método dos elementos finitos. CBMag 2002 : anais. 2002 ;[citado 2024 maio 21 ]
Trabalho de evento
A time-stepping FEA coupled to a non-linear semiconductor (2002)
Nabeta, Silvio Ikuyo ; Hameyer, Kay ; Sande, Hans Vande
Source: IEEE CEFC 2002. Conference titles: IEEE Conference on Electromagnetic Field Computation. Unidade: EP
Assunto: ELETROMAGNETISMO
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NABETA, Silvio Ikuyo e HAMEYER, Kay e SANDE, Hans Vande. A time-stepping FEA coupled to a non-linear semiconductor. 2002, Anais.. Piscataway: IEEE, 2002. . Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Nabeta, S. I., Hameyer, K., & Sande, H. V. (2002). A time-stepping FEA coupled to a non-linear semiconductor. In IEEE CEFC 2002. Piscataway: IEEE.
NLM
Nabeta SI, Hameyer K, Sande HV. A time-stepping FEA coupled to a non-linear semiconductor. IEEE CEFC 2002. 2002 ;[citado 2024 maio 21 ]
Vancouver
Nabeta SI, Hameyer K, Sande HV. A time-stepping FEA coupled to a non-linear semiconductor. IEEE CEFC 2002. 2002 ;[citado 2024 maio 21 ]
Trabalho de evento
A non-linear semiconductor coupled to FEM (2002)
Nabeta, Silvio Ikuyo ; Hameyer, Kay ; Gersem, Herbert De
Source: EPNC 2002 : proceedings. Conference titles: Symposium on Electromagnetic Phenomena in Nonlinear Circuits. Unidade: EP
Assunto: MÉTODO DOS ELEMENTOS FINITOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NABETA, Silvio Ikuyo e HAMEYER, Kay e GERSEM, Herbert De. A non-linear semiconductor coupled to FEM. 2002, Anais.. Leuven: Katholieke Universiteit Leuven, 2002. . Acesso em: 21 maio 2024.
APA
Nabeta, S. I., Hameyer, K., & Gersem, H. D. (2002). A non-linear semiconductor coupled to FEM. In EPNC 2002 : proceedings. Leuven: Katholieke Universiteit Leuven.
NLM
Nabeta SI, Hameyer K, Gersem HD. A non-linear semiconductor coupled to FEM. EPNC 2002 : proceedings. 2002 ;[citado 2024 maio 21 ]
Vancouver
Nabeta SI, Hameyer K, Gersem HD. A non-linear semiconductor coupled to FEM. EPNC 2002 : proceedings. 2002 ;[citado 2024 maio 21 ]

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